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Samsung M470T2864EH3-CF7 - 1 GB - 1 x 1 GB - DDR2 - 800 MHz - 200-pin SO-DIMM

Samsung M470T2864EH3-CF7 - 1 GB - 1 x 1 GB - DDR2 - 800 MHz - 200-pin SO-DIMM

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Artikelnummer 1228456000
SAMSUNG
Samsung M470T2864EH3-CF7 - 1 GB - 1 x 1 GB - DDR2 - 800 MHz - 200-pin SO-DIMM
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Beschreibung
Merkmale
RAM-Speicher
1 GB
Interner Speichertyp
DDR2
Speichertaktfrequenz
800 MHz
Komponente für
Notebook
Memory Formfaktor
200-pin SO-DIMM
Speicherlayout (Module x Größe)
1 x 1 GB
Gepufferter Speichertyp
Unregistered (unbuffered)
ECC
Nein
CAS Latenz
6
Speicherrangfolge
2
Speicherspannung
1,8 V
Speicherbausteine: Speicher
Speichermodul-Bauform: SO-DIMM
Speicherkapazität: 2GB
Effektiver Speichertakt: 800MHz
Fehlerkorrektur: non-ECC
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Artikelgewicht: 0,01 kg

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